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MG100J2YS1

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG100J2YS1

100A/600V/2U

No Identificado

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

High Input Impedance

High Speed : tf=0.35us (Max) trr=0.25us (Max)

Low Saturation Voltage : VCE(sat)=4.0V (Max)

Enhancement-Mode

Includes a Complete Half Bridge in one package

The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

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IGBT 100A 600V DUAL

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Références spécifiques

MPN
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