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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG30G6EL2

30A/600V/6U

No identificado

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  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED IGBT MODULE
  • The Collector is Isolated from Ground
  • 6 Power Transistors and 6 Free Wheeling Diodes are Built Into
  • 1 PackageHigh
  • DC Current Gain :
  • hfe = 100(Min.) (IC=30A)
  • Low Saturation Voltage:
  • VCE(sat)=2V (Max.) (IC=30A)
  • High Speed : tf=2us (Max.) (IC=30A)

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
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Referencias específicas

MPN
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