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MG75J1ZS50
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG75J1ZS5075A/600V/2U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated fron Case
High Input Impedance
Includes a Complete Half Btidge in One Package
Enhancement-Mode
High Speed : tf=0.30us (Max.) (IC = 75A)
trr = 0.15us (Max.) (IF = 75A)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC = 72A)
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG75J1ZS50
IGBT 75A 600V SINGLE
MG75J1ZS50
Referencias específicas
- MPN
- MG75J1ZS50
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