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MG75J1ZS50

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG75J1ZS50

75A/600V/2U

No identificado

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Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated fron Case
  • High Input Impedance
  • Includes a Complete Half Btidge in One Package
  • Enhancement-Mode
  • High Speed : tf=0.30us (Max.) (IC = 75A)
  • trr = 0.15us (Max.) (IF = 75A)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC = 72A)

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

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IGBT 75A 600V SINGLE

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Références spécifiques

MPN
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