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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
200A/1200V/1U
No Identificado
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SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed :
tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 3.6V (Max.)
Enhancement-Mode
The Electrodes are Isolated from Case
Applications
High Power Switching
Motor Control
Powerex
MG200Q1US51
IGBT 200A 1200V SINGLE