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MG200Q1US51
94,50 $
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG200Q1US51200A/1200V/1U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed :
tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 3.6V (Max.)
Enhancement-Mode
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Powerex IGBT
Powerex
MG200Q1US51
IGBT 200A 1200V SINGLE
MG200Q1US51
Referencias específicas
- MPN
- MG200Q1US51
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