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MG300M1UK1

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG300M1UK1

300A/1000V/1U

No Identificado

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

Electrodes are Isolated from the heat

sink (2500V AC)

High DC current Gain (hFE) (80 or 100 MIN.)

Low saturation voltage (2 or 2.5V maximum)

Wide safe operation area

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

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TRANSISTOR 300A 1000V SINGLE

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Références spécifiques

MPN
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