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MG300M1UK1
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG300M1UK1300A/1000V/1U
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Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- Electrodes are Isolated from the heat
- sink (2500V AC)
- High DC current Gain (hFE) (80 or 100 MIN.)
- Low saturation voltage (2 or 2.5V maximum)
- Wide safe operation area
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG300M1UK1
TRANSISTOR 300A 1000V SINGLE
MG300M1UK1
Riferimenti Specifici
- MPN
- MG300M1UK1
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