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MG75Q2YS51

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG75Q2YS51

75A/1200V/2U

No identificado

Delivery time :

Quantità
Non disponibile

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High input impedance
  • High speed :
  • tf = 0.3us (Max.) @ Inductive load
  • Low saturation voltage :
  • VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
  • Enhancement-mode
  • Includes a complete half bridge in
  • one package
  • The electrodes are Isolated
  • from case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
MG75Q2YS51

Riferimenti Specifici

MPN
MG75Q2YS51
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