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MG50J1BS11

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50J1BS11

50A/600V/1U

No Identificado

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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

SILICON N CHANNEL IGBT MODULE

High Input Impedance

High Speed : tf=1.0us(Max.) (IC=50A)

Low Saturation Voltage :

VCE(sat)=2.7V (Max.) (IC =50A)

Enhancement-Mode

The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

Applications

High Power Switching

Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

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IGBT 50A 600V SINGLE

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Références spécifiques

MPN
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