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MG10Q6ES50A

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG10Q6ES50A

10A/1200V/6U

No identificado

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Quantité
Rupture de stock

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • High Input Impedance
  • 6 IGBTs Built Into 1 Package

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG10Q6ES50A

IGBT 10A 1200V SIX-PACK

MG10Q6ES50A

Références spécifiques

MPN
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