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MG200Q2YS50
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG200Q2YS50200A/1200V/2U
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
Enhancement-Mode
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG200Q2YS50
IGBT 200A 1200V DUAL
MG200Q2YS50
Referencias específicas
- MPN
- MG200Q2YS50
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