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MG200M1UK1
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG200M1UK1200A/1000V/1U
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Features
Silicon NPN Triple Diffused GTR MODULE
The Collector is isolated from case
With Built-in Free Wheeling Diode
High DC Current Gain : hfe = 100(Min.) (IC = 2000 A)
Low Saturation Voltage
VCE(sat) = 2.5 V(max.) (IC = 200 A)
Excellent Collector Balance by Direct Parallel Conection of Each All Terminals
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG200M1UK1
Referencias específicas
- MPN
- MG200M1UK1
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