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MG100Q2YS51
118,13 $
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG100Q2YS51100A/1200V/2U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The Electrodes are Isolated from Case
High Input Impedance
Enhancement-Mode
High Speed :
tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
Low Saturation Voltage :
VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
Includes a Complete Half Bridge in
One Package
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
Powerex IGBT
Powerex
MG100Q2YS51
IGBT 100A 1200V DUAL
MG100Q2YS51
Referencias específicas
- MPN
- MG100Q2YS51
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