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MG100J1BS11
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG100J1BS11100A/600V/1U
No Identificado
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
High Input Impedance
High Speed : tf=1.0us(Max.) (IC=100A)
Low Saturation Voltage :
VCE(sat)=2.7V (Max.) (IC =100A)
Enhancement-Mode
The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG100J1BS11
Referencias específicas
- MPN
- MG100J1BS11
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