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MG25N2YS1

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG25N2YS1

25A/1000V/2U

No identificado

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Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf=1.0us(Max.)
  • trr=0.5us(Max.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=5.0V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • Includes a Complete Half Bridge in one Package
  • The Electrodes are Isolated from Case.

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
MG25N2YS1

Referencias específicas

MPN
MG25N2YS1
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