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MG100J6ES50
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MODULOS IGBT DE CANAL N
Última actualización
MG100J6ES50100A/600V/6U
TOSHIBA
Delivery time : 1-2 semanas.
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Envíos y devoluciones
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
The electrodes are isolated from case
High input impedance
6 IGBTs built into 1 package
Enhancement-mode
High speed tf=0.30us (Max) (IC=100A)
trr = 0.15us (Max) (IF=100A)
Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.70V (Max) (IC = 100A)
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
MG100J6ES50
Referencias específicas
- MPN
- MG100J6ES50
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