MODULOS IGBT
Última actualización
75A/1200V/2U
FUJI ELECTRIC
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El 2MBI75N-120 es un Módulo de Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT). Es un dispositivo de conmutación de potencia utilizado para la conversión y control eficiente de energía eléctrica en sistemas industriales.
2MB: Indica un módulo de potencia con dos IGBT internos (formando una topología de medio puente o Half-Bridge).
I: Indica la tecnología o serie (en este caso, la serie N de IGBT de Fuji, conocida por su rendimiento y fiabilidad industrial).
75: Es la corriente nominal continua del colector (I C), que es de 75 Amperios (A).
120: Representa el voltaje nominal máximo colector-emisor (V CES), que es de 1200 Voltios (V).
Tecnología Serie N de Fuji (Tecnología IGBT de Generación Anterior/Estándar).
Características Destacadas
Conmutación de alta velocidad.
Estructura de baja inductancia.
Función de límite de sobrecorriente.
Baja disipación total de potencia.
Variadores de Frecuencia (VFD): Control de velocidad de motores de CA (bombas, ventiladores, cintas transportadoras).
Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS): En la etapa inversora para garantizar un suministro de energía estable.
Amplificadores de Servoaccionamiento.
Equipos de Soldadura y Maquinaria Industrial.
Fuji
2MBI75N-120
IGBT 75A 1200V DUAL