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BSM50GD120DN2E3226

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MODULOS IGBT

Última actualización

DatasheetBSM50GD120DN2E3226

50A/1200V/6U

INFINEON

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Features

El BSM50GD120DN2E3226 de Infineon Technologies (Eupec) es un módulo de potencia IGBT trifásico en configuración de puente completo (3-Phase Full-Bridge / Sixpack IGBT Module / ECONOPACK™ 2), diseñado para inversores de frecuencia para control de motores de CA, servodrives, convertidores de potencia y fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS).

Diseñado para soportar una tensión colector-emisor (VCES) de 1200 V con una corriente nominal continua de colector (IC) de 50 A (a Tc = 80 °C) y hasta 75 A (a Tc = 25 °C), este módulo integra 6 transistores IGBT con tecnología NPT junto con 6 diodos de libre circulación rápidos (fast free-wheeling diodes). Dispone de un encapsulado con placa base metálica aislada (Insulated Metal Base Plate) con terminales de pines largos reforzados para montaje pasante en PCB (versión E3226 / Long terminals, limited current per terminal), ofreciendo una tensión de aislamiento dieléctrico de 2500 VRMS y alta robustez térmica.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies / Eupec

Modelo / Referencia de Parte: BSM50GD120DN2E3226 (BSM 50 GD 120 DN2 E3226)

Familia / Serie: Serie ECONOPACK™ 2 / BSM Series

Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT trifásico (Sixpack / 3-Phase Inverter Bridge)

Configuración Interna: 6 IGBTs + 6 diodos rápidos en puente inversor trifásico completo

Variante Especial (E3226): Terminales extendidos/largos para soldadura en circuito impreso (Long terminals, Limited current per terminal)

Desglose de la Nomenclatura

BSM: Bastidor de módulo IGBT Eupec / Infineon

50: Corriente asignada continua de colector de 50 A (a Tc = 80 °C)

GD: Topología de puente inversor trifásico (6-pack / Sixpack)

120: Tensión colector-emisor de 1200 V (120 x 10 V)

DN2: Tecnología IGBT NPT de 2.ª generación optimizada con diodos rápidos

E3226: Configuración de pines largos para montaje pasante en PCB

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V

Corriente Continua de Colector (IC):

50 A (a Tc = 80 °C)

75 A (a Tc = 25 °C)

Corriente de Colector de Pico Repetitiva (ICRM): 100 A (pulso de 1 ms)

Potencia Total Disipada (Ptot por IGBT): Aprox. 350 W (a Tc = 25 °C)

Temperatura Máxima de Unión (Tjmax): +150 °C

Rango de Temperatura de Unión en Operación (Tvj op): -40 °C a +125 °C / +150 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Características Eléctricas del IGBT (Tj = 25 °C salvo indicación)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):

Típico 2.50 V (a IC = 50 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)

Típico 3.10 V (a IC = 50 A, VGE = 15 V, Tj = 125 °C)

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 4.5 V a 6.5 V (a IC = 2.0 mA, VCE = VGE)

Corriente de Fuga Colector-Emisor (ICES): Máximo 1.0 mA (a VCE = 1200 V, VGE = 0 V)

Corriente de Fuga Puerta-Emisor (IGES): Máximo 300 nA (a VGE = 20 V, VCE = 0 V)

Tiempo de Subida / Caída (tr / tf): Típico 45 ns / 60 ns

Tiempo de Retardo al Apagado (td(off)): Típico 420 ns

Características del Diodo Inverso / Libre Circulación

Corriente Continua Directa (IF): 50 A

Corriente de Pico Directa (IFRM): 100 A

Tensión Directa (VF): Típico 2.00 V a 2.50 V (a IF = 50 A)

Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Aprox. 200 ns a 250 ns

Aislamiento, Montaje y Especificaciones Mecánicas

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (VISOL): 2500 VAC (RMS durante 1 minuto, terminales a placa base, 50/60 Hz)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) IGBT): Aprox. 0.35 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Aprox. 0.60 °C/W

Tipo de Terminales: Pines de soldadura largos para inserción en placa PCB (Solder Pins)

Fijación Mecánica: 4 orificios para tornillos de fijación al disipador (M5)

Par de Apriete Recomendado: 3.0 Nm a 6.0 Nm

Masa / Peso Aproximado: Aprox. 180 g a 220 g

Aplications

Variadores de frecuencia (VFD) e inversores de control de motores trifásicos.

Servocontroladores industriales y accionamientos de posicionamiento.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS / SAI).

Fuentes de alimentación para soldadura y corte por plasma.

Convertidores e inversores auxiliares para automatización industrial.

Infineon, Formerly Eupec IGBTs

Infineon, Formerly Eupec

BSM50GD120DN2E3226

IGBT 50A 1200V SIX-PACK W/LONG PINS ; Type; Six-Pack

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 50 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 1 MilliAmps

Iges Max; 0.2 MicroAmps

Vge(th) Min/Max; 6.5 Volts

Vce(sat) Max; 3 Volts

Height (mm); 30.5

Width (mm); 107.5

Depth (mm); 45 ;

BSM50GD120DN2E3226

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
BSM50GD120DN2E3226
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