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MODULOS IGBT
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50A/1200V/6U
INFINEON
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El BSM50GD120DN2E3226 de Infineon Technologies (Eupec) es un módulo de potencia IGBT trifásico en configuración de puente completo (3-Phase Full-Bridge / Sixpack IGBT Module / ECONOPACK™ 2), diseñado para inversores de frecuencia para control de motores de CA, servodrives, convertidores de potencia y fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS).
Diseñado para soportar una tensión colector-emisor (VCES) de 1200 V con una corriente nominal continua de colector (IC) de 50 A (a Tc = 80 °C) y hasta 75 A (a Tc = 25 °C), este módulo integra 6 transistores IGBT con tecnología NPT junto con 6 diodos de libre circulación rápidos (fast free-wheeling diodes). Dispone de un encapsulado con placa base metálica aislada (Insulated Metal Base Plate) con terminales de pines largos reforzados para montaje pasante en PCB (versión E3226 / Long terminals, limited current per terminal), ofreciendo una tensión de aislamiento dieléctrico de 2500 VRMS y alta robustez térmica.
Specs
Fabricante: Infineon Technologies / Eupec
Modelo / Referencia de Parte: BSM50GD120DN2E3226 (BSM 50 GD 120 DN2 E3226)
Familia / Serie: Serie ECONOPACK™ 2 / BSM Series
Tipo de Componente: Módulo de potencia IGBT trifásico (Sixpack / 3-Phase Inverter Bridge)
Configuración Interna: 6 IGBTs + 6 diodos rápidos en puente inversor trifásico completo
Variante Especial (E3226): Terminales extendidos/largos para soldadura en circuito impreso (Long terminals, Limited current per terminal)
Desglose de la Nomenclatura
BSM: Bastidor de módulo IGBT Eupec / Infineon
50: Corriente asignada continua de colector de 50 A (a Tc = 80 °C)
GD: Topología de puente inversor trifásico (6-pack / Sixpack)
120: Tensión colector-emisor de 1200 V (120 x 10 V)
DN2: Tecnología IGBT NPT de 2.ª generación optimizada con diodos rápidos
E3226: Configuración de pines largos para montaje pasante en PCB
Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación)
Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V
Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V
Corriente Continua de Colector (IC):
50 A (a Tc = 80 °C)
75 A (a Tc = 25 °C)
Corriente de Colector de Pico Repetitiva (ICRM): 100 A (pulso de 1 ms)
Potencia Total Disipada (Ptot por IGBT): Aprox. 350 W (a Tc = 25 °C)
Temperatura Máxima de Unión (Tjmax): +150 °C
Rango de Temperatura de Unión en Operación (Tvj op): -40 °C a +125 °C / +150 °C
Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C
Características Eléctricas del IGBT (Tj = 25 °C salvo indicación)
Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)):
Típico 2.50 V (a IC = 50 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C)
Típico 3.10 V (a IC = 50 A, VGE = 15 V, Tj = 125 °C)
Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 4.5 V a 6.5 V (a IC = 2.0 mA, VCE = VGE)
Corriente de Fuga Colector-Emisor (ICES): Máximo 1.0 mA (a VCE = 1200 V, VGE = 0 V)
Corriente de Fuga Puerta-Emisor (IGES): Máximo 300 nA (a VGE = 20 V, VCE = 0 V)
Tiempo de Subida / Caída (tr / tf): Típico 45 ns / 60 ns
Tiempo de Retardo al Apagado (td(off)): Típico 420 ns
Características del Diodo Inverso / Libre Circulación
Corriente Continua Directa (IF): 50 A
Corriente de Pico Directa (IFRM): 100 A
Tensión Directa (VF): Típico 2.00 V a 2.50 V (a IF = 50 A)
Tiempo de Recuperación Inversa (trr): Aprox. 200 ns a 250 ns
Aislamiento, Montaje y Especificaciones Mecánicas
Tensión de Aislamiento Dieléctrico (VISOL): 2500 VAC (RMS durante 1 minuto, terminales a placa base, 50/60 Hz)
Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) IGBT): Aprox. 0.35 °C/W
Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Aprox. 0.60 °C/W
Tipo de Terminales: Pines de soldadura largos para inserción en placa PCB (Solder Pins)
Fijación Mecánica: 4 orificios para tornillos de fijación al disipador (M5)
Par de Apriete Recomendado: 3.0 Nm a 6.0 Nm
Masa / Peso Aproximado: Aprox. 180 g a 220 g
Variadores de frecuencia (VFD) e inversores de control de motores trifásicos.
Servocontroladores industriales y accionamientos de posicionamiento.
Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS / SAI).
Fuentes de alimentación para soldadura y corte por plasma.
Convertidores e inversores auxiliares para automatización industrial.
Infineon, Formerly Eupec
BSM50GD120DN2E3226
IGBT 50A 1200V SIX-PACK W/LONG PINS ; Type; Six-Pack
Vces; 1200 Volts DC
Ic; 50 Amps
Vges +/-; 20
Ices Max; 1 MilliAmps
Iges Max; 0.2 MicroAmps
Vge(th) Min/Max; 6.5 Volts
Vce(sat) Max; 3 Volts
Height (mm); 30.5
Width (mm); 107.5
Depth (mm); 45 ;