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TRANSISTORES DE POTENCIA
Última actualización
800V 2.7A
ST MICROELECTRONICS
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El BUZ80A es un transistor de efecto de campo de potencia de canal N (N-Channel Power MOSFET) de alta tensión, diseñado y fabricado originalmente por STMicroelectronics (perteneciente a la clásica y robusta serie SIPMOS / PowerMESH).
Este componente de estado sólido es un interruptor electrónico de alta velocidad. Su función principal en las tarjetas de control del taller es conmutar de forma digital corrientes continuas bajo voltajes elevados, siendo el elemento clave que controla el troceo de energí
1. Datos Eléctricos Más Importantes (Límites de Placa)
Las especificaciones técnicas del silicio de STMicroelectronics definen sus umbrales de resistencia y límites de ruptura:
Polaridad del Semiconductor: Canal N (N-Channel). Se activa aplicando un voltaje positivo en su compuerta con respecto a su terminal de surtidor.
Voltaje Máximo Colector-Surtidor / Drenaje-Fuente (Vdss): 800 Voltios (V). Esta altísima tensión de bloqueo le permite operar de forma segura y absorber los rebotes inductivos severos en redes rectificadas de 110V, 220V y hasta 440V CA.
Corriente de Drenaje Continua (Id): 3.0 Amperios (A) a una temperatura de chasis controlada de 25°C. Si la temperatura del componente sube a 100°C en el tablero, su capacidad de conducción segura disminuye a 1.9 A.
Corriente de Drenaje Pico (Idm): Soporta pulsos transitorios de corriente de corta duración de hasta 12 Amperios (A).
Resistencia en Estado de Encendido (RDS on): Máximo 3.0 Ohms (?) cuando está completamente saturado. Es el parámetro que define qué tanto se calentará el MOSFET debido al paso de la corriente.
Voltaje de Umbral de Compuerta (Vgs th): Requiere una tensión de control de entre 2.0 V y 4.0 V en la compuerta para empezar a conducir, soportando un voltaje máximo absoluto en compuerta de mas/menos 20V.
Disipación de Potencia Máxima (Ptot): Capaz de liberar hasta 75 Vatios (W) de energía calórica, siempre y cuando esté montado de forma correcta sobre un disipador térmico.
2. Características Físicas y Encapsulado
La construcción del BUZ80A está estandarizada para facilitar su sustitución y transferencia térmica en el banco de trabajo:
Encapsulado Estándar TO-220: Estructura plástica rígida de tres terminales pasantes con una pestaña metálica trasera (tab) provista de un barreno. Esta pestaña de cobre niquelado está conectada internamente a la terminal central del Drenaje, y su propósito es transferir el calor hacia el aluminio del tablero.
Diodo de Cuerpo Ultra-Rápido Integrado (Source-Drain Diode): Aloja de fábrica un diodo interno en paralelo inverso entre el Surtidor y el Drenaje. Actúa como una válvula de alivio instantánea que protege al canal N contra voltajes inversos generados por cargas inductivas al apagarse.
3. Distribución de Pines (Pinout)
Al colocar el componente de frente (con las letras de STMicroelectronics visibles hacia ti y las patas apuntando hacia abajo), las tres terminales se distribuyen estrictamente de izquierda a derecha bajo el siguiente orden:
Pin 1 - Compuerta (Gate - G): Terminal de control de alta impedancia. Recibe los pulsos de voltaje (normalmente de 10V a 12V para saturación completa) enviados por el chip oscilador PWM para encender o apagar el transistor.
Pin 2 - Drenaje (Drain - D): Terminal de fuerza que se conecta a la carga (bobina del transformador, motor, etc.). Nota técnica: Este pin está en cortocircuito físico directo con la pestaña metálica trasera del encapsulado.
Pin 3 - Surtidor (Source - S): Terminal de retorno que se conecta directamente a la Tierra Común o polo negativo (GND / 0V) del bus de potencia.
Debido a su combinación de 800V de aislamiento y sus 3 Amperios de conducción, el BUZ80A es la refacción estándar en:
Etapas de Conmutación en Fuentes de Poder (SMPS): Transistor principal de potencia (Chopper) en fuentes conmutadas flyback que alimentan las pantallas de interfaces hombre-máquina (HMI) o tarjetas lógicas de PLCs.
Balastros Electrónicos Industriales: Circuitos inversores de alta frecuencia encargados de encender lámparas de descarga o sistemas de iluminación LED de gran potencia en naves industriales.
Convertidores CD/CD y Drivers de Solenoides: Control y conmutación rápida de válvulas proporcionales o relevadores de potencia que manejan tensiones continuas elevadas.