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IRGS30B60KPBF
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IRGS30B60KPBF
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- INSULSTED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
- Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology
- 10us Short Circuit Capability
- Square RBSOA
- Positive BCE (on) Temperature Coefficient
- Maximum Junction Temperature rated at 175 C
- Lead-Free
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
IRGS30B60KPBF
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- IRGS30B60KPBF
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