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IRGS30B60KPBF
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IRGS30B60KPBF
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Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
INSULSTED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology
10us Short Circuit Capability
Square RBSOA
Positive BCE (on) Temperature Coefficient
Maximum Junction Temperature rated at 175 C
Lead-Free
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
IRGS30B60KPBF
Riferimenti Specifici
- MPN
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