FF450R12ME4

El FF450R12ME4 de Infineon Technologies es un módulo de potencia dual IGBT en configuración de medio puente (Half-Bridge) perteneciente a la popular familia de encapsulados EconoDUAL 3. Incorpora la tecnología de chip Trenchstop IGBT4 junto con diodos emisor-controlados (Emitter Controlled diode) de rápida recuperación, optimizados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia e intensidad.

Diseñado para manejar una tensión nominal colector-emisor de 1200 V y una corriente continua de colector de 450 A, este dispositivo integra además un sensor de temperatura NTC internamente para el monitoreo térmico en tiempo real. Su estructura cuenta con terminales de potencia de alta robustez mecánica y diseño optimizado de inductancia parásita reducida, facilitando el paralelamiento de módulos en inversores de gran potencia.

Specs

Marca / Fabricante: Infineon Technologies

Número de Parte / Código: FF450R12ME4 (FF450R12ME4BOSA1)

Familia / Encapsulado: EconoDUAL 3

Configuración del Módulo: Medio puente / Dual IGBT (Half-Bridge topology)

Tecnología de Chip: Trenchstop IGBT4 / Emitter Controlled 4 Diode

Termistores Integrados: NTC integrado para medición de temperatura interna

Conexión de Potencia: Terminales de tornillo M6

Conexión de Control: Pines PressFIT / Solder pins (según variante exacta de la serie)

Especificaciones Eléctricas Máximas y Nominales

Tensión Colector-Emisor (Vces): 1200 V

Corriente Continua de Colector Nominal (Ic nom): 450 A (a Tcase = 100 °C)

Corriente Continua de Colector Máxima (Ic): 650 A (a Tcase = 25 °C)

Corriente Pulsada de Colector (Icrm): 900 A (tp = 1 ms)

Tensión Emisor-Puerta (Vges): +/- 20 V

Tensión de Saturación Colector-Emisor (Vce sat): 1.75 V (típica a Ic = 450 A, Vge = 15 V, Tvj = 125 °C) / 1.85 V (Tvj = 150 °C)

Corriente Continua del Diodo Inverso (If): 450 A (Tcase = 100 °C)

Tensión Directa del Diodo (Vf): 1.65 V (típica a If = 450 A, Tvj = 125 °C)

Especificaciones Dinámicas y de Conmutación

Energía de Encendido por Ciclo (Eon): Aprox. 35 mJ (a Vcc = 600 V, Ic = 450 A, Tvj = 150 °C)

Energía de Apagado por Ciclo (Eoff): Aprox. 55 mJ (a Vcc = 600 V, Ic = 450 A, Tvj = 150 °C)

Carga Total de Puerta (Qg): 3.7 microcoulombs (a Vge = -15 V ... +15 V)

Resistencia Interna de Puerta (Rgint): 1.7 ohms

Tolerancia a Cortocircuito (tsc): 10 microsegundos (a Vcc = 800 V, Vge <= 15 V, Tvj = 150 °C)

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Resistencia Térmica Chip-Carcasa (Rth j-c):

IGBT: 0.063 K/W

Diodo: 0.11 K/W

Temperatura de Unión de Operación (Tvj op): -40 °C a +150 °C (hasta +175 °C bajo condiciones de sobrecarga)

Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +125 °C

Tensión de Aislamiento de CA (Visol): 2500 V CA (1 minuto, 50 Hz)

Torque de Apriete Recomendado:

Montaje a disipador (M5/M6): 3.0 Nm a 6.0 Nm

Terminales de potencia (M6): 3.0 Nm a 6.0 Nm

Dimensiones de la Base: 152 mm x 62 mm (Altura total: 30 mm)

Peso Aproximado: 345 g

Inversores centrales y de cadena para energía solar fotovoltaica y parques eólicos.

Variadores de frecuencia y drives industriales de alta potencia.

Sistemas de alimentación ininterrumpida de gran escala (UPS).

Convertidores auxiliares para tracción ferroviaria y vehículos pesados de transporte.

Fuentes de alimentación conmutadas industriales y equipos de soldadura de alta capacidad.