• On request
SKIM455GD12T4D1
search
  • SKIM455GD12T4D1

SKIM455GD12T4D1

$506.00
No tax

MODULOS IGBT

Última actualización

DatasheetSKIM455GD12T4D1

305A/1200V/6U

SEMIKRON

Delivery time : 1-2 semanas.

Quantity
On request

  Política de seguridad

(Our products have limited warranty, please check our terms)

  Shipping and Returns

All products come with a warranty against manufacturing defects.

  Trademark Disclaimer

All trademarks, logos, and part numbers are the property of their respective owners click for more

Features

El SKiM455GD12T4D1 es un módulo de potencia IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alto rendimiento perteneciente a la familia SKiM 4 de Semikron. Este dispositivo está diseñado bajo el concepto baseplate-less (sin placa base de cobre), lo que le otorga una resistencia superior a la fatiga por ciclos térmicos y una fiabilidad excepcional en aplicaciones industriales pesadas.

Especificaciones Eléctricas Principales

Este módulo utiliza la tecnología de chip IGBT4 (Trench y Field Stop), diseñada para ofrecer un equilibrio perfecto entre bajas pérdidas de conmutación y robustez ante cortocircuitos.

Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1200 Voltios. Es ideal para operar en redes de CA industriales de 400V a 690V.

Corriente de Colector (Ic): 450 Amperios (calculado a una temperatura de carcasa de 70°C).

Configuración: 6-Pack (Puente Trifásico). Contiene tres ramas completas (6 IGBTs) con sus respectivos diodos de rotación libre (Freewheeling Diodes) integrados.

Tecnología de Diodos: Equipado con diodos CAL4 (Controlled Axial Lifetime), que permiten una recuperación suave y reducen las interferencias electromagnéticas (EMI).

Sensor de Temperatura: Incluye un NTC (termistor) interno para el monitoreo térmico en tiempo real, esencial para la protección del módulo.

Características Mecánicas y de Construcción

La serie SKiM 4 de Semikron es reconocida por su revolucionaria tecnología de contacto por presión, que sustituye a las conexiones soldadas tradicionales.

Tecnología de Contacto por Presión: Los terminales de potencia y de control se conectan mediante presión mecánica. Esto elimina la delaminación de la placa base, aumentando la vida útil del módulo ante ciclos térmicos constantes.

Sustrato de Nitruro de Aluminio (AlN): Proporciona una excelente conductividad térmica y una alta rigidez dieléctrica, aislando los componentes activos del disipador de calor.

Diseño Compacto: Su baja altura y la disposición de los terminales permiten una integración sencilla con barras de bus (busbars) laminadas, reduciendo la inductancia parásita.

Grado de Protección: Diseñado para ser montado en ambientes controlados dentro de inversores con refrigeración por aire o líquido.

Aplications

El SKiM455GD12T4D1 es un componente crítico en la conversión de energía de alta potencia:

Inversores para Energía Eólica: Utilizado en el control de generadores en aerogeneradores de mediana y gran potencia.

Propulsión Eléctrica: Inversores principales para vehículos pesados, autobuses eléctricos y sistemas ferroviarios ligeros.

Variadores de Frecuencia (VFD): Control de motores industriales de gran tamaño en minería, bombeo y ventilación.

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS): Etapas de potencia para centros de datos y hospitales que requieren máxima fiabilidad.

Sistemas Fotovoltaicos: Inversores centrales para plantas solares de escala comercial.

Semikron IGBTs

Semikron

SKIM455GD12T4D1

IGBT ; Type; Six-Pack

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 450 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 0.3 MilliAmps

Vge(th) Min/Max; 5~6.5 Volts

Vce(sat) Max; 2 Volts

Height (mm); 34.5

Width (mm); 184.5

Depth (mm); 106.5 ;

SEMIKRON
SKIM455GD12T4D1

Specific References

MPN
SKIM455GD12T4D1
Comments (0)
No customer reviews for the moment.