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SKIM455GD12T4D1

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MODULOS IGBT

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DatasheetSKIM455GD12T4D1

305A/1200V/6U

SEMIKRON

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Features

El SKiM455GD12T4D1 es un módulo de potencia IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alto rendimiento perteneciente a la familia SKiM 4 de Semikron. Este dispositivo está diseñado bajo el concepto baseplate-less (sin placa base de cobre), lo que le otorga una resistencia superior a la fatiga por ciclos térmicos y una fiabilidad excepcional en aplicaciones industriales pesadas.

Especificaciones Eléctricas Principales

Este módulo utiliza la tecnología de chip IGBT4 (Trench y Field Stop), diseñada para ofrecer un equilibrio perfecto entre bajas pérdidas de conmutación y robustez ante cortocircuitos.

Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1200 Voltios. Es ideal para operar en redes de CA industriales de 400V a 690V.

Corriente de Colector (Ic): 450 Amperios (calculado a una temperatura de carcasa de 70°C).

Configuración: 6-Pack (Puente Trifásico). Contiene tres ramas completas (6 IGBTs) con sus respectivos diodos de rotación libre (Freewheeling Diodes) integrados.

Tecnología de Diodos: Equipado con diodos CAL4 (Controlled Axial Lifetime), que permiten una recuperación suave y reducen las interferencias electromagnéticas (EMI).

Sensor de Temperatura: Incluye un NTC (termistor) interno para el monitoreo térmico en tiempo real, esencial para la protección del módulo.

Características Mecánicas y de Construcción

La serie SKiM 4 de Semikron es reconocida por su revolucionaria tecnología de contacto por presión, que sustituye a las conexiones soldadas tradicionales.

Tecnología de Contacto por Presión: Los terminales de potencia y de control se conectan mediante presión mecánica. Esto elimina la delaminación de la placa base, aumentando la vida útil del módulo ante ciclos térmicos constantes.

Sustrato de Nitruro de Aluminio (AlN): Proporciona una excelente conductividad térmica y una alta rigidez dieléctrica, aislando los componentes activos del disipador de calor.

Diseño Compacto: Su baja altura y la disposición de los terminales permiten una integración sencilla con barras de bus (busbars) laminadas, reduciendo la inductancia parásita.

Grado de Protección: Diseñado para ser montado en ambientes controlados dentro de inversores con refrigeración por aire o líquido.

Aplications

El SKiM455GD12T4D1 es un componente crítico en la conversión de energía de alta potencia:

Inversores para Energía Eólica: Utilizado en el control de generadores en aerogeneradores de mediana y gran potencia.

Propulsión Eléctrica: Inversores principales para vehículos pesados, autobuses eléctricos y sistemas ferroviarios ligeros.

Variadores de Frecuencia (VFD): Control de motores industriales de gran tamaño en minería, bombeo y ventilación.

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS): Etapas de potencia para centros de datos y hospitales que requieren máxima fiabilidad.

Sistemas Fotovoltaicos: Inversores centrales para plantas solares de escala comercial.

Semikron IGBTs

Semikron

SKIM455GD12T4D1

IGBT ; Type; Six-Pack

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 450 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 0.3 MilliAmps

Vge(th) Min/Max; 5~6.5 Volts

Vce(sat) Max; 2 Volts

Height (mm); 34.5

Width (mm); 184.5

Depth (mm); 106.5 ;

SEMIKRON
SKIM455GD12T4D1

Referencias Específicas

Nº Pieza fabricante (NPM)
SKIM455GD12T4D1
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