IRF9520N

El IRF9520N de International Rectifier / Infineon Technologies (también fabricado por Vishay Siliconix) es un transistor de efecto de campo de potencia de canal P (P-Channel Power MOSFET) de la familia HEXFET®/Planar.

Diseñado para la conmutación rápida de cargas en el lado de alta potencia (High-Side Switching) y amplificación de potencia, este componente soporta una tensión drenador-fuente de hasta -100 V y una corriente continua de drenador de -6.8 A. Su encapsulado estándar TO-220AB proporciona una baja resistencia térmica y una alta capacidad de disipación de calor, siendo una solución robusta y económica para aplicaciones industriales, automotrices y de conversión de energía.

Specs

Fabricante: International Rectifier (IR) / Infineon Technologies / Vishay

Modelo / Referencia: IRF9520N (IRF9520NPbF)

Familia / Tecnología: MOSFET de potencia HEXFET® / Planar de Canal P

Encapsulado / Empaque: TO-220AB (3 pines de inserción THT)

Desglose de la Nomenclatura

IRF: Serie de MOSFETs de potencia de International Rectifier

9: Identificador de familia / tecnología de potencia

520: Código de modelo e identificación de matriz / capacidad

N: Revisión de proceso de tecnología avanzada de silicona con menor resistencia de conducción (RDS(on))

Especificaciones Eléctricas y Máximas

Tensión Drenador-Fuente (VDS): -100 V

Tensión Compuerta-Fuente (VGS): +/- 20 V

Corriente Continua de Drenador (ID a Tc = 25 °C): -6.8 A

Corriente Continua de Drenador (ID a Tc = 100 °C): -4.8 A

Corriente Pulsada de Drenador (IDM): -27 A

Resistencia de Conducción Drenador-Fuente (RDS(on) máx. a VGS = -10V): 0.48 Ohmios (480 mOhmios)

Tensión Umbral de Compuerta (VGS(th)): -2.0 V a -4.0 V

Transconductancia en Directo (gfs): Aprox. 1.4 S

Especificaciones Dinámicas y de Conmutación

Carga Total de Compuerta (Qg máx.): 27 nC (a VGS = -10 V, VDS = -80 V)

Capacitancia de Entrada (Ciss): Aprox. 350 pF

Capacitancia de Salida (Coss): Aprox. 110 pF

Capacitancia de Transferencia Inversa (Crss): Aprox. 70 pF

Tiempo de Retardo de Encendido (td(on)): Aprox. 14 ns

Tiempo de Retardo de Apagado (td(off)): Aprox. 28 ns

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Disipación Total de Potencia (PD a Tc = 25 °C): 48 W

Factor de Reducción Lineal: 0.32 W/°C

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (RthJC): 3.1 °C/W

Resistencia Térmica Unión a Ambiente (RthJA): 62 °C/W

Disposición de Pines (TO-220): Pin 1 = Gate (Compuerta), Pin 2 = Drain (Drenador), Pin 3 = Source (Fuente) / Pestaña metálica = Drain

Peso Aproximado: 2.0 g

Especificaciones Ambientales y de Seguridad

Rango de Temperatura de Operación y Almacenamiento (Tj, Tstg): -55 °C a +175 °C

Energía de Avalancha en Pulso Único (EAS): 140 mJ

Cumplimiento de Normativas: RoHS compliant, libre de plomo (Pb-Free)

Conmutación de cargas en la línea positiva de alimentación (High-Side Switches).

Controladores de motores de corriente continua, relés y solenoides.

Inversores de puente completo o medio puente (complementario con el MOSFET canal N IRF520N).

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), reguladores de tensión y convertidores DC-DC.