ZP10500A-06

El ZP10500A-06 de Sailton (gama de diodos de potencia para soldadura por resistencia / Welding Diodes / Disc Diodes) es un diodo rectificador de silicio de ultra-alta corriente en encapsulado tipo disco plano ultrafino para montaje por presión (Puck / Hockey-Puck Press-Pack), diseñado específicamente para fuentes de alimentación de soldadura por resistencia por puntos (MFDC - Medium Frequency Direct Current Resistance Welding), rectificadores secundarios de transformadores de soldadura y aplicaciones industriales pesadas de baja tensión y corriente extrema.

Diseñado con unas dimensiones de contacto y cápsula de 56 mm x 50 mm x 5 mm (diámetro total de aprox. 56 mm, diámetro de polo de contacto de 50 mm y espesor ultraplano de 5 mm), opera con una tensión repetitiva de pico inversa (VRRM) de 600 V (código 06) y una capacidad de corriente media en estado de conducción (IF(AV)) de 10,500 A bajo refrigeración bilateral forzada por agua. Su diseño de unión de silicio soldada por difusión y caras polares optimizadas garantiza una caída de tensión directa (VF) extremadamente baja para minimizar pérdidas térmicas, una resistencia térmica reducida y una gran capacidad de corriente de sobretensión no repetitiva (IFSM) para soportar ciclos continuos de soldadura pesada.

Specs

Fabricante: Sailton (Hubei Sailton Electronic Co., Ltd.)

Modelo / Referencia: ZP10500A-06 (ZP10500A/600V / ZP10500-06)

Código de Producto / UNSPSC: 32111500 (Diodos rectificadores / Rectifier Diodes)

Familia / Serie: Serie ZP Welding Diodes (Diodos de disco para soldadura por resistencia)

Tipo de Componente: Diodo de potencia de disco para soldadura (Welding Rectifier Disc Diode)

Tipo de Montaje: Montaje por compresión mecánica bilateral entre disipadores refrigerados por agua (Clamped / Press-Pack)

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conexión: Superficies circulares planas de contacto de cobre niquelado (electrodos superior e inferior de presión)

Distribución de Terminales:

Superficie plana superior (Electrodo 1): Ánodo (A) o Cátodo (K) según orientación en el conjunto disipador

Superficie plana inferior (Electrodo 2): Cátodo (K) o Ánodo (A)

Desglose de la Nomenclatura

ZP: Diodo rectificador de silicio estándar en cápsula de disco (Silicon Rectifier Disc Diode)

10500A: Corriente nominal media asignada en estado de conducción: 10,500 A

-06: Código de tensión inversa repetitiva de pico: 06 = 600 V (VRRM)

56x50x5MM: Dimensiones constructivas de la cápsula (diámetro exterior 56 mm, diámetro de electrodo activo 50 mm, altura/espesor 5 mm)

Especificaciones Eléctricas de Bloqueo y Conducción

Tensión Repetitiva Máxima de Pico Inversa (VRRM): 600 V

Tensión No Repetitiva Máxima Inversa (VRSM): 700 V

Corriente Media en Estado de Conducción (IF(AV)): 10,500 A (con refrigeración bilateral por agua a TC estándar)

Corriente Eficaz en Conducción (IF(RMS)): Superior a 16,000 A

Corriente de Sobretensión de Pico No Repetitiva (IFSM): Aprox. 60 kA a 80 kA (a 10 ms, medio ciclo sinusoidal de 50 Hz)

Integral de Fusión (I²t): Aprox. 18,000 x 10³ A²s a 25,000 x 10³ A²s (para cálculo y coordinación de fusibles ultra-rápidos)

Tensión Directa en Estado de Conducción (VF / VFM): Típica de 0.85 V a 1.05 V (a IF de pico muy elevado, 25 °C)

Tensión de Umbral Directa (VF0): Aprox. 0.70 V a 0.75 V

Corriente Inversa de Fuga (IRRM): Máximo 20 mA a 50 mA (a VRRM, Tj = 150 °C / 170 °C)

Parámetros Térmicos y Mecánicos

Fuerza Mecánica de Sujeción Requerida (Clamping Force): Aprox. 22 kN a 35 kN (según especificación de apriete del conjunto refrigerador)

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rthj-c) - Doble Cara: Menor o igual a 0.010 °C/W

Resistencia Térmica Carcasa-Disipador (Rthc-s): Aprox. 0.003 °C/W a 0.005 °C/W (con pasta térmica de alta conductividad)

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Cápsula de disco ultrafina sellada herméticamente (Ultra-slim Hockey-Puck)

Diámetro Exterior Total: 56 mm

Diámetro de las Caras de Contacto (Polos): 50 mm

Espesor / Altura del Disco: 5.0 mm (±0.1 mm)

Material de los Polos: Cobre de alta pureza niquelado para mínima resistencia óhmica de contacto

Aislamiento Perimetral: Aro aislante de cerámica técnica o polímero de alta rigidez dieléctrica y resistencia mecánica

Peso Aproximado: Aprox. 100 g a 150 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Rango de Temperatura de Operación en la Unión (Tj): -40 °C a +170 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +170 °C

Tipo de Refrigeración Recomendada: Refrigeración por circulación de agua forzada (Water-cooled heatsinks) en ambas caras

Normativas y Homologaciones: Conforme a normativas internacionales para semiconductores de potencia IEC 60747-2, directiva RoHS

Rectificadores secundarios integrados en transformadores para máquinas de soldadura por puntos por media frecuencia (MFDC Resistance Welding).

Pinzas y pistolas robóticas de soldadura para líneas de ensamblaje en la industria automotriz.

Máquinas de soldadura por costura, proyección y a tope.

Fuentes de alimentación de corriente continua de ultra-alta corriente y muy baja tensión para procesos de electrodeposición y galvanoplastia.

Conmutadores y puentes rectificadores de potencia para equipos de calentamiento por inducción de baja tensión.