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PM150RL1A120

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IGBT - IPM

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DatasheetPM150RL1A120

4A/900V/1U

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Features

N-Channel MOS FET

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

No secondary breakdown

Suitable for switching regulator, DC-DC converter

Aplications

Applications

High speed power switching

PM150RL1A120

Referencias específicas

MPN
PM150RL1A120
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