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G20N50C1D
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G20N50C1D
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Features
N-Channel IGBT with Anti-Parallel
Ultrafast Diode
20A , 500V
Latch Free Operation
Typical Fall Time < 800ns
High Input Impedance
Low Conduction Loss
With Anti-Parallel Diode
trr < 60ns
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
G20N50C1D
Referencias específicas
- MPN
- G20N50C1D
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