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GT20J101
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GT20J101
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Features
Silicon N Channel IGBT
Third-generation IGBT
Enhancement mode type
High speed : tf=0.30 us (max)
Low saturation voltage : VCE(sat)=2.7 V (max)
Aplications
Applications
High Power Switching
Fast Switching
GT20J101
Referencias específicas
- MPN
- GT20J101
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