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GT30J122
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GT30J122
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Features
Silicon N-Channel IGBT
4TH Generation IGBT
Enhancement mode type
High speed : tf=0.25us (Typ.) (IC=50A)
Low saturation voltage : VCE(sat)=2.1V (Typ.) (IC=50A)
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
GT30J122
Referencias específicas
- MPN
- GT30J122
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