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GT50J101
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GT50J101
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Features
SILICON N-CHANNEL IGBT
High Input Impedance
High Speed : tf=0.35us (MAX.)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)= 4.0 V (Max.)
Enhancement-mode
Aplications
Applications
Motor Control
Miscellaneous * Semiconductor
Miscellaneous
GT50J101
Semiconductor
GT50J101
Referencias específicas
- MPN
- GT50J101
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