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GT50J301
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GT50J301
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Features
SILICON N CHANNEL IGBT
The 3rdGeneration
Enhancement-Mode
High Speed : tf=0.30us (Max)
Low Saturation Voltage : VCE(sat)=2.7V (Max)
FRD Included Between Emmiter and Collector
Aplications
Applications
High Power Switching
Motor Control
GT50J301
Referencias específicas
- MPN
- GT50J301
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