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H25R1202
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H25R1202
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Features
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
Body diode clamps negative voltages
Trench and Fielstop technology for 1200 V applications offes :
very tight parameter distribution
high ruggedness, temperature stable behavior
NPT technology offers easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE=(sat)
Low EMI
Qualified according to JEDEC for target applications
Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Complete product spectrum and PSpice Models
Aplications
Applications
Inductive Cooking
Soft Switching Applications
H25R1202
Referencias específicas
- MPN
- H25R1202
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