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IRG4PC50F
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IRG4PC50F
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Features
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, > 20 kHz in resonant mode)
Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
Industry standar TO-247AC package
Aplications
Semiconductors High Power Equipment Repair
IRG4PC50F
Referencias específicas
- MPN
- IRG4PC50F
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