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DD1200S12H4

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MODULOS DIODO DIODO

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DatasheetDD1200S12H4

1200A/1200V

INFINEON

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Features

El DD1200S12H4 de Infineon Technologies es un módulo de diodo de potencia de alta capacidad perteneciente a la familia de módulos industriales en encapsulado IHM / IHV B (130 mm x 140 mm).

Diseñado para aplicaciones de conmutación pesada de alta potencia, este módulo integra diodos de recuperación suave con tecnología Emitter Controlled HE (High Efficiency) capaces de soportar una tensión de bloqueo de 1200 V y una corriente nominal continua de 1200 A. Ofrece bajas pérdidas de conmutación, excelente capacidad de sobretensión transitoria y una placa base de cobre aislada para optimizar la disipación térmica hacia el disipador de calor en inversores industriales y convertidores de frecuencia.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies

Modelo / Referencia: DD1200S12H4

Tipo de Componente: Módulo de diodos de potencia / Diodo de recuperación rápida (Power Diode Module)

Formato de Encapsulado: IHM B / IHV (130 mm x 140 mm)

Especificaciones Eléctricas Principales

Tensión Nominal Repetitiva de Pico en Inversa (VRRM): 1200 V

Corriente Nominal Continua en Directa (IFnom): 1200 A

Corriente Máxima Eficaz (IFRMS): Aprox. 1800 A

Corriente de Pico de Sobrecorriente (IFSM): Aprox. 9600 A (a 10 ms, Tj = 125 °C)

Capacidad de Integración de Corriente (I2t): Aprox. 115,000 A2s

Caída de Tensión en Estado Activo (VF): Aprox. 1.65 V a 2.15 V (a IF = 1200 A, Tj = 125 °C)

Tecnología de Diodo: Emitter Controlled HE (Recuperación suave de baja pérdida)

Especificaciones Mecánicas y de Montaje

Estructura Interna: Placa base de cobre (Copper Baseplate) con aislamiento galvánico de cerámica de alúmina (Al2O3)

Tensión de Aislamiento Eléctrico (VISOL): 4000 VAC (1 minuto)

Terminales de Potencia: Busbars de cobre con roscado métrico M8 (par de apriete de 8 a 10 Nm)

Fijación a Disipador: Tornillos métricos M6 (par de apriete de 3 a 6 Nm)

Dimensiones del Módulo: 130 mm x 140 mm x 38 mm

Peso Aproximado: 1.1 kg

Especificaciones Térmicas y Ambientales

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (RthJC): Aprox. 0.038 K/W por diodo

Rango de Temperatura de Operación de la Unión (Tj op): -40 °C a +150 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +125 °C

Cumplimiento de Normativas: CE, UL Recognized, RoHS compliant

Aplications

Diodos de libre circulación (Freewheeling Diode) y rectificación de entrada en variadores de frecuencia industrial de gran tonelaje.

Convertidores e inversores para energía eólica, fotovoltaica y redes de distribución de energía.

Sistemas de tracción eléctrica, vehículos ferroviarios e infraestructura de transporte pesado.

Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) industriales de alta capacidad y sistemas de soldadura de potencia.

DD1200S12H4

Referencias específicas

MPN
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