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2MBI450VN-120S-50

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MODULOS IGBT

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Datasheet2MBI450VN-120S-50

450A -1200V

FUJI ELECTRIC

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Features

El 2MBI450VN-120S-50 de Fuji Electric es un módulo de potencia IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) doble de alta eficiencia pertenenciente a la serie V-Series. Está diseñado para conmutación de alta potencia en aplicaciones industriales exigentes.

Configuración: Doble módulo IGBT en media puente (2-in-1 / Half-Bridge).

Tecnología: IGBT de 6.ª generación (V-Series) con tecnología Trench-Gate / Field-Stop, que ofrece menores pérdidas de conmutación y baja tensión de saturación.

Tensión Máxima Colector-Emisor (Vces): 1200 V.

Corriente Continua de Colector (Ic): 450 A (a una temperatura de carcasa Tc = 100 °C).

Corriente de Pico Colector (Icp): 900 A (1 ms).

Diodo Integrado: Incluye diodo de rueda libre (FWD) ultra rápido integrado en paralelo inverso para cada transistor.

Especificaciones Eléctricas y Térmicas

Tensión Colector-Emisor de Saturación (Vce sat): Típicamente 1.75 V a 1.85 V (a Ic = 450 A y Vge = 15 V).

Tensión Puerta-Emisor (Vges): +/- 20 V.

Temperatura Máxima de Unión (Tj): 175 °C (permite operar con márgenes térmicos más amplios).

Aislamiento Eléctrico (Viso): 2500 V CA durante 1 minuto entre terminales y la placa base metálica.

Disipación Total de Potencia (Pd): Aproximadamente 2500 W por módulo a Tc = 25 °C.

Dimensiones y Construcción Física

Encapsulado: Paquete estándar de potencia tipo M262 o V-Series equivalente.

Placa Base: Base de cobre aislada térmicamente para acoplamiento directo a disipadores de calor.

Terminales de Potencia: Bus de cobre con roscas (M6 o M5 según la versión de terminales) para alta corriente.

Terminales de Control: Terminales auxiliares para señales de disparo de puerta (Gate/Emitter) mediante tornillos o conectores tipo rápida conexión.

Montaje: Fijación al disipador térmico mediante 4 tornillos M5.

Esquema Interno y Conexiones

Terminales de Potencia (C1, C2E1, E2): Configuración de medio puente donde el punto medio (C2E1) actúa como salida hacia la fase de carga.

Terminales de Control (G1-E1 y G2-E2): Conexiones independientes para los circuitos de disparo (Gate Drivers) del transistor superior e inferior.

Aplications

Variadores de Frecuencia (VFD): Inversores de corriente para motores de CA industriales de gran tonelaje y potencia.

Sistemas de Energía Renovable: Inversores solares comerciales y generadores eólicos.

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS): Equipos de respaldo de alta capacidad para centros de datos e industria.

Fuentes de Alimentación Inductiva: Equipos de soldadura eléctrica y calentamiento por inducción.

2MBI450VN-120S-50

Referencias específicas

MPN
2MBI450VN-120S-50
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