BSM25GD120DN12

El BSM25GD120DN12 de Infineon Technologies / EUPEC (familia EconoPACK™ 2) es un módulo de potencia IGBT de 6 elementos en configuración de puente inversor trifásico completo (Six-Pack / 3-Phase Inverter Bridge Module), diseñado para etapas de conmutación en variadores de frecuencia de motores de corriente alterna, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS), servocontroladores y sistemas de soldadura industrial.

Fabricado en un encapsulado plano compacto con placa base de cobre aislada para montaje directo sobre disipador térmico, este módulo integra seis transistores IGBT con tecnología NPT (Non-Punch-Through) y diodos de libre circulación (Free-Wheeling Diodes - FWD) de recuperación rápida y suave conectados en antiparalelo. Soporta una tensión de bloqueo colector-emisor de 1200 V y una corriente nominal continua de colector de 25 A a 80 °C (35 A a 25 °C), proporcionando un termistor NTC integrado para la supervisión térmica de la base, bajas pérdidas de conmutación, pines de soldadura para inserción en PCB y aislamiento galvánico de 2500 VAC.

Specs

Fabricante: Infineon Technologies AG / EUPEC

Modelo / Referencia: BSM25GD120DN12 (BSM25GD120DN2)

Código de Producto / UNSPSC: 32111700 (32111718 / Módulos de potencia IGBT e inversores)

Familia / Serie: Serie EconoPACK™ 2 (IGBT Six-Pack Module)

Tipo de Componente: Módulo inversor trifásico IGBT de 6 elementos (Six-Pack IGBT Module)

Configuración Interna: Puente trifásico completo (6 IGBTs con diodos FWD antiparalelo y sensor térmico NTC integrado)

Tipo de Montaje: Fijación por tornillos sobre disipador térmico con terminales de pines para soldadura en PCB (Through-Hole PCB Mount)

Desglose de la Nomenclatura

BSM: Módulo semiconductor bipolar estándar EUPEC / Infineon (Bipolar Semiconductor Module)

25: Corriente nominal continua de colector de 25 A (a Tc = 80 °C)

GD: Configuración Six-Pack (puente inversor trifásico de 6 transistores)

120: Tensión asignada de bloqueo colector-emisor de 1200 V (120 x 10 V)

D: Diodo de libre circulación (Free-Wheeling Diode) integrado

N12 / N2: Tecnología de chip IGBT NPT de generación 1200 V

Valores Máximos Absolutos (Tj = 25 °C salvo indicación contraria)

Tensión Colector-Emisor (VCES): 1200 V

Tensión Puerta-Emisor (VGES): +/- 20 V continuo

Corriente Continua de Colector (IC):

A Tc = 80 °C: 25 A

A Tc = 25 °C: Aprox. 35 A a 40 A

Corriente de Colector de Pico (ICP): 50 A (pulso transitorio de 1 ms)

Corriente Continua del Diodo Inverso (IF): 25 A (pulso IFM: 50 A)

Disipación Total de Potencia por IGBT (Ptot): Aprox. 200 W a 230 W (a Tc = 25 °C)

Tensión de Aislamiento Galvánico (VISOL): 2500 VAC (50 Hz, 1 minuto entre terminales y placa base)

Características Eléctricas de Operación

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típico 2.5 V a 3.1 V (a IC = 25 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C); aprox. 3.1 V a Tj = 125 °C

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 4.5 V a 6.5 V (a IC = 1.0 mA)

Capacitancia de Entrada (Cies): Aprox. 1.6 nF a 2.0 nF (a VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz)

Tensión Directa del Diodo FWD (VF): Típico 2.0 V a 2.4 V (a IF = 25 A, VGE = 0 V)

Resistencia a Cortocircuito (tsc): Mínimo 10 µs (a VGE <= 15 V, VCC = 720 V, Tj <= 125 °C)

Sensor de Temperatura Integrado (Termistor NTC)

Resistencia Nominal (R25): 5.0 k? (+/- 5% a 25 °C)

Desviación de Resistencia a 100 °C (R100): Aprox. 493 ?

Constante B (B25/50): Aprox. 3375 K a 3400 K

Función: Supervisión térmica continua de la temperatura de la placa base por parte del circuito de control

Propiedades Mecánicas y Térmicas

Encapsulado: Formato EconoPACK™ 2

Dimensiones Físicas: Aprox. 107.0 mm (largo) x 45.0 mm (ancho) x 20.5 mm (alto)

Material de la Placa Base: Cobre con recubrimiento niquelado

Conexiones Eléctricas: Terminales tipo pin para soldar directamente a la placa de circuito impreso (PCB)

Par de Apriete al Disipador: 3.0 N·m a 6.0 N·m (tornillos métricos M5)

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C (máximo operativo +125 °C en uso continuo)

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) IGBT): Aprox. 0.55 °C/W a 0.65 °C/W

Resistencia Térmica Unión-Carcasa (Rth(j-c) Diodo): Aprox. 1.0 °C/W a 1.2 °C/W

Peso Aproximado: Aprox. 180 g a 200 g

Inversores trifásicos y variadores de frecuencia (VFD) para motores de 7.5 kW a 11 kW (red de 400/480 VAC).

Servocontroladores industriales y accionamientos de precisión para ejes CNC.

Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) y equipos de conversión de potencia industrial.

Fuentes conmutadas de alta tensión y equipos auxiliares para soldadura por arco.