BSM25GD120DN2

El Infineon BSM25GD120DN2 es un módulo de potencia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de la familia Europack. Está diseñado para aplicaciones de control de motores y conversión de energía, ofreciendo una configuración de puente trifásico completo en un solo encapsulado compacto.

Este módulo es ampliamente utilizado en la industria por su robustez y su capacidad para manejar voltajes elevados con pérdidas de conmutación reducidas.

Especificaciones Técnicas Principales

Corriente de Colector (Ic): 25 Amperios (a 80°C).

Voltaje Colector-Emisor (Vces): 1200 Voltios. Adecuado para operar en redes de 380V, 440V y hasta 480V AC.

Configuración: Six-pack. Contiene 6 IGBTs con sus respectivos diodos de rotación libre (Freewheeling Diodes) integrados, formando las tres fases (U, V, W) necesarias para un inversor.

Vcesat (Voltaje de Saturación): Aproximadamente 2.5V, lo que indica una eficiencia térmica sólida durante la conducción.

Encapsulado: Europack 1, diseñado para montaje sobre disipador térmico con terminales de soldadura para el circuito de control.

Caracterí

Placa Base de Cobre: Utiliza una base de cobre aislada directamente (Direct Copper Bonding) que optimiza la transferencia de calor hacia el disipador externo.

Diodos CAL (Controlled Axial Lifetime): Los diodos integrados tienen características de recuperación suave, lo que reduce drásticamente el ruido electromagnético (EMI) durante la conmutación.

Baja Inductancia Parasitaria: El diseño interno del módulo minimiza los picos de voltaje generados durante el apagado rápido de los transistores.

Variadores de Frecuencia (VFD): Control de velocidad para motores de inducció

Servomotores: Accionamiento de ejes en maquinaria CNC y robótica industrial.

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS): Etapa de inversión para generar onda senoidal pura a partir de baterías.

Calentamiento por Inducción: Fuentes de alimentación conmutadas de alta potencia.