• Nuevo
  • Sobre pedido

MBN1800F33F

1.028,10 $
Sin impuestos

MODULOS IGBT

Última actualización

DatasheetMBN1800F33F

1800A/3300V

HITACHI

Delivery time : 1-2 semanas reacondicionado

Cantidad
Sobre pedido

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Envíos y devoluciones

Todos los productos cuentan con garantía contra defectos de fabricación

  Trademark Disclaimer

Todas las marcas, logotipos y números de parte son propiedad de sus dueños click para más info.

Features

El MBN1800F33F de Hitachi (Hitachi Energy / Power Grids) es un módulo de potencia IGBT de altísima capacidad (High Power IGBT Module) de alta tensión y alta corriente. Diseñado para aplicaciones de tracción y conversión de energía de gran escala, este módulo integra diodos de recuperación rápida (Free-Wheeling Diodes) en paralelo con los transistores IGBT para optimizar la eficiencia y reducir las pérdidas por conmutación.

Su construcción está optimizada con aislamiento galvánico de alta tensión en una carcasa hermética y robusta estándar del sector industrial (HV-IGBT / n-sub-module structure). Esto permite operar en entornos exigentes con ciclos térmicos y mecánicos continuos, garantizando una alta confiabilidad en inversores de potencia media y alta tensión.

Specs

Marca / Fabricante: Hitachi / Hitachi Energy

Número de Parte / Código: MBN1800F33F (variantes comunes incluyen MBN1800F33F-C)

Tipo de Dispositivo: Módulo de potencia IGBT de alta tensión (High Voltage IGBT Module)

Configuración Interna: Single IGBT (Single switch con diodo antiparalelo integrado)

Especificaciones Eléctricas Principales

Tensión Colector-Emisor Máxima (VCES): 3300 V

Corriente Continua de Colector (IC): 1800 A (a TC = 80°C)

Corriente de Pico de Colector (ICP): 3600 A

Tensión de Aislamiento (Visol): 6000 VAC (1 minuto)

Tensión Colector-Emisor de Saturación (VCE(sat)): ~2.5 V a 3.0 V (a IC = 1800 A, Tj = 125°C)

Corriente Directa del Diodo (IF): 1800 A

Propiedades Térmicas y Mecánicas

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C

Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +125 °C

Aislamiento Base: Placa base metálica de alta conductividad térmica aislada eléctricamente

Encapsulado / Dimensiones: Encapsulado estándar HV-IGBT (Aprox. 190 mm x 140 mm)

Terminales: Bornes de cobre con rosca de alta corriente para barra colectora (busbar)

Aplications

Inversores de tracción ferroviaria (trenes de alta velocidad, locomotoras elécricas, metros).

Sistemas de transmisión de energía en corriente continua (HVDC) y FACTS.

Accionamientos industriales de alta tensión (Medium Voltage Drives - MVD).

Convertidores de energía eólica y fotovoltaica de gran escala.

MBN1800F33F

Referencias específicas

MPN
MBN1800F33F
Nuevo
Comentarios (0)
No hay reseñas de clientes en este momento.