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SEMIX252GB126V1
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MODULOS IGBT
Última actualización
SEMIX252GB126V1242A / 1200V / 2U
SEMIKRON
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Features
- Chip technology
- IGBT 3 (Trench)
- Country of origin
- Slovakia
- Current (A)
- 150 A
- Dimensions (LxWxH)
- 117x64x17
- Features
- Homogeneous Si
- Trench = Trenchgate technology
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- High short circuit capability
- UL recognised file no. E63532
- Housing
- SEMiX 2s
- Legacy part number
- 27890680
- Product line
- SEMiX
- Product Status
- In Production
- Technology
- IGBT
- Topology
- Half-Bridge
- Type
- SEMiX 2s
- Typical applications
- AC inverter drives
- UPS
- Electronic Welding
- Voltage (V)
- 1200 V
Aplications
- Optimice el rendimiento de sus diseños de electrónica de potencia con nuestro módulo dual IGBT. Este integrado combina dos interruptores de potencia IGBT con sus diodos de protección en un solo encapsulado robusto, offering a solución compacta y fiable para aplicaciones que exigen alta corriente y voltaje.
- Diseñado para una disipación de calor superior y una fácil instalación, este módulo es la elección ideal para simplificar el ensamblaje, mejorar la fiabilidad del sistema y reducir el tamaño general de sus equipos. La base aislada permite un montaje sencillo y seguro en un disipador de calor común.
- Control de motores industriales y robótica.
- Inversores solares y convertidores de energía renovable.
- Equipos industriales de automatización.
- Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI/UPS).
SEMIX252GB126V1
Referencias específicas
- MPN
- SEMIX252GB126V1
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