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SEMIX252GB126V1
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MODULOS IGBT
Última actualización
SEMIX252GB126V1242A / 1200V / 2U
SEMIKRON
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Features
Chip technology
IGBT 3 (Trench)
Country of origin
Slovakia
Current (A)
150 A
Dimensions (LxWxH)
117x64x17
Features
Homogeneous Si
Trench = Trenchgate technology
VCE(sat) with positive temperature coefficient
High short circuit capability
UL recognised file no. E63532
Housing
SEMiX 2s
Legacy part number
27890680
Product line
SEMiX
Product Status
In Production
Technology
IGBT
Topology
Half-Bridge
Type
SEMiX 2s
Typical applications
AC inverter drives
UPS
Electronic Welding
Voltage (V)
1200 V
Aplications
Optimice el rendimiento de sus diseños de electrónica de potencia con nuestro módulo dual IGBT. Este integrado combina dos interruptores de potencia IGBT con sus diodos de protección en un solo encapsulado robusto, offering a solución compacta y fiable para aplicaciones que exigen alta corriente y voltaje.
Diseñado para una disipación de calor superior y una fácil instalación, este módulo es la elección ideal para simplificar el ensamblaje, mejorar la fiabilidad del sistema y reducir el tamaño general de sus equipos. La base aislada permite un montaje sencillo y seguro en un disipador de calor común.
Control de motores industriales y robótica.
Inversores solares y convertidores de energía renovable.
Equipos industriales de automatización.
Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI/UPS).
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