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SKM150GB12VG
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SKM150GB12VG
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Features
IGBT MODULE
V-IGBT = 6. Generation Trench V-IGBT (Fuji)
CAL4 = Soft switching 4. Generation CAL-diode
Isolated copper baseplate using DBC
technology (Direct Copper Bonding)
UL recognized, file no. E63532
Increased power cycling capability
With integrated gate resistor
Low switching losses at high di/dt
Aplications
Applications
AC inverter drives
Electronic welders
Semikron IGBTs
Semikron
SKM150GB12VG
IGBT,Dual,1200V,222A ; Type; Dual
Vces; 1200 Volts DC
Ic; 169 Amps
Vges +/-; 20
Ices Max; 0.3 MilliAmps
Vge(th) Min/Max; 6.5 Volts
Vce(sat) Max; 2.3 Volts
Height (mm); 30.5
Width (mm); 106.4
Depth (mm); 61.4
RoHS; Yes ;
SKM150GB12VG
Referencias específicas
- MPN
- SKM150GB12VG
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