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SKM200GB12E4
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SKM200GB12E4
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Features
IGBT 4 Module
IGBT4 = 4. generation medium fast trench IGBT (Infineon)
CAL4 = Softs switching 4. generation CAL-diode
Isolated copper baseplate using DBC technology (Direct Bonded Copper)
Increased power cycling capability
With integrated gate resistor
For higher switching frequencies up to 12 kHz
UL recognized, file no. E63532
Aplications
Applications
AC inverter drives
Semikron IGBTs
Semikron
SKM200GB12E4
IGBT ; Type; Dual
Vces; 1200 Volts DC
Ic; 200 Amps
Vges +/-; 20
Ices Max; 2.7 MilliAmps
Vge(th) Min/Max; 5~6.5 Volts
Vce(sat) Max; 2.05 Volts
Height (mm); 30.5
Width (mm); 106.4
Depth (mm); 61.4
Approvals; UL ;
SKM200GB12E4
Referencias específicas
- MPN
- SKM200GB12E4
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