SKM40GD121DL1

El SKM40GD121DL1 de SEMIKRON Danfoss es un módulo de potencia semiconductor con seis transistores bipolares de puerta aislada en configuración de puente inversor trifásico (Three-Phase Inverter Bridge IGBT Module / 6-Pack), perteneciente a la familia de módulos industriales de potencia compactos Serie SEMITRANS 2 (gama GD / variante L1). Está diseñado para la conversión estática de energía y el control vectorial o escalar de motores en variadores de frecuencia, servosistemas de automatización, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI / UPS), fuentes conmutadas industriales y equipos de soldadura de precisión.

Construido en un bastidor cerámico/plástico SEMITRANS 2 con placa base de cobre aislada galvánicamente mediante sustrato cerámico de alúmina (Al2O3) y grado de protección IP00, opera en circuitos con tensiones de enlace de corriente continua de hasta 800 VDC y redes trifásicas de hasta 480 VAC, con una tensión asignada de bloqueo colector-emisor (VCES) de 1200 V. Presenta una corriente nominal continua de colector (IC) de 40 A a Tc = 25 °C (25 A continuos a Tc = 80 °C / clasificación 25A/1200V/6U), incorporando 6 transistores N-Channel con diodos inversos de marcha libre CAL (Controlled Axial Lifetime) en antiparalelo, baja inductancia parásita interna optimizada para conmutación rápida, terminales de potencia dispuestos para interconexión directa y pines auxiliares de control de puerta y emisor para placa de disparo (gate driver).

Specs

Fabricante: SEMIKRON Danfoss (Núremberg, Alemania)

Modelo / Referencia: SKM40GD121DL1 (código de parte: SKM 40 GD 121 D L1)

Código de Producto / UNSPSC: 23153100 / 32111500 (Módulos de potencia semiconductores / IGBT Modules)

Familia / Serie: Serie SEMITRANS 2 (Topología Sixpack / Inverter Bridge 6U)

Tipo de Componente: Módulo semiconductor de potencia IGBT inversor trifásico (6 transistores IGBT + 6 diodos antiparalelo)

Tipo de Montaje: Montaje superficial atornillado sobre disipador térmico (heatsink mount) mediante tornillos M5 con pasta térmica conductora

Asignación de Pines / Terminales (Pinout)

Tipo de Conector / Regleta: Terminales de potencia superiores para atornillar/conectar pletinas y pines/espadines para circuito de control impreso

Distribución de Pines / Bornes Principales:

Terminales +DC / P: Conexión al carril positivo del bus de corriente continua (+VDC)

Terminales -DC / N: Conexión al carril negativo del bus de corriente continua (-VDC / 0 V)

Terminal U: Salida de potencia de CA Fase 1 hacia el motor

Terminal V: Salida de potencia de CA Fase 2 hacia el motor

Terminal W: Salida de potencia de CA Fase 3 hacia el motor

Pines de Puerta (g1 a g6): Terminales de excitación de disparo de compuerta para los 6 IGBTs individuales

Pines de Emisor Auxiliar (e1 a e6): Referencias de emisor de señal para circuitos de excitación de puerta (gate drivers)

Desglose de la Nomenclatura

SKM: Prefijo corporativo de SEMIKRON para módulos de transistores IGBT (SEMIKRON IGBT Module)

40: Corriente nominal asignada de colector: Clase 40 A (a Tc = 25 °C; 25 A nominal a Tc = 80 °C)

GD: Topología de circuito: Puente inversor trifásico completo (Three-Phase Bridge / Sixpack / 6U)

12: Tensión asignada de bloqueo colector-emisor: 1200 V (12 x 100 V)

1: Generación tecnológica del chip de silicio y optimización dinámica de pérdidas

D: Integración de diodos de marcha libre de recuperación suave CAL (Freewheeling CAL Diodes)

L1: Variante de longitud de terminales / especificación mecánica de terminales rectos para soldadura en PCB o pletina

Especificaciones de Entrada y Tensión Asignada

Tensión Colector-Emisor Máxima (VCES): 1200 V

Tensión de Red Trifásica Recomendada: 380 VAC a 480 VAC

Tensión Puerta-Emisor Continua Máxima (VGES): ±20 V

Tensión de Aislamiento Dieléctrico (Visol): 2500 VAC (1 minuto) / 3000 VAC (1 segundo) entre terminales y placa base

Especificaciones de Salida (Etapa Inversora IGBT)

Corriente Continua de Colector (IC): 40 A (a Tc = 25 °C) / 25 A (a Tc = 80 °C)

Corriente de Colector Pulsada (ICM): 80 A (tp = 1 ms)

Tensión de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): Típica 2.5 V a 2.7 V (a IC = 25 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) / menor a 3.1 V (a Tj = 125 °C)

Tensión de Umbral de Puerta (VGE(th)): 4.5 V a 6.5 V

Capacidad de Resistencia a Cortocircuito (tsc): 10 µs (a VCC = 720 V, VGE <= 15 V, Tj = 125 °C)

Energía de Pérdidas por Conmutación (Eon + Eoff): Aprox. 4.0 mJ a 6.0 mJ por ciclo de maniobra

Frecuencia de Conmutación Típica: 4 kHz a 16 kHz

Diodos Antiparalelo Inversos (CAL Diode)

Corriente Directa Continua (IF): 35 A (a Tc = 25 °C) / 20 A a 25 A (a Tc = 80 °C)

Corriente Directa Pulsada (IFM): 60 A (tp = 1 ms)

Caída de Tensión Directa (VF): Típica 2.0 V a 2.3 V a 25 A (a Tj = 25 °C)

Comportamiento de Recuperación Suave: Baja sobretensión por recuperación inversa, reduciendo ruidos EMI

Rendimiento Térmico y Mecánico

Resistencia Térmica Unión a Carcasa IGBT (Rth(j-c)): Aprox. 0.60 °C/W por interruptor

Resistencia Térmica Unión a Carcasa Diodo (Rth(j-c)D): Aprox. 1.20 °C/W por diodo

Resistencia Térmica Carcasa a Disipador (Rth(c-s)): 0.05 °C/W para el módulo completo

Disipación Total de Potencia (Ptot): Aprox. 160 W a 200 W por interruptor a Tc = 25 °C

Construcción Mecánica y Dimensiones

Dimensiones Físicas:

Longitud de placa base: Aprox. 93.0 mm a 107.0 mm

Anchura de base: Aprox. 45.0 mm a 62.0 mm

Altura sobre disipador: Aprox. 30.0 mm

Materiales:

Placa base: Cobre niquelado de alta transferencia térmica

Sustrato aislante: Cerámica de alúmina (Al2O3) metalizada mediante unión directa de cobre (DBC)

Carcasa: Termoplástico técnico de ingeniería retardante de llama (UL 94V-0)

Fijación a Disipador: 4 tornillos M5 (par de apriete recomendado: 3.0 Nm a 5.0 Nm)

Peso Aproximado: Aprox. 250 g

Condiciones Ambientales y Seguridad

Temperatura de Operación de la Unión (Tj): -40 °C a +150 °C (servicio continuo admisible hasta +125 °C)

Temperatura de Almacenamiento: -40 °C a +125 °C

Grado de Protección: IP00 conforme a IEC 60529

Normativas y Homologaciones: Homologación UL (archivo E63532), marcado CE y cumplimiento con la directiva europea RoHS

Módulo de potencia inversor trifásico en variadores de frecuencia de 4 kW a 7.5 kW para motores asíncronos y síncronos.

Controladores de posición y servodrives en maquinaria CNC y brazos robotizados industriales.

Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI / UPS) industriales para cargas críticas.

Convertidores para bombas solares e inversores auxiliares de tracción eléctrica.

Fuentes de alimentación conmutadas industriales y equipos de calentamiento inductivo o corte por plasma.