SKKT330/12E

Este módulo utiliza tecnología de contactos por presión (sin soldaduras en los chips), lo que le otorga una resistencia superior a la fatiga por ciclos térmicos. Su base está aislada eléctricamente, facilitando el montaje de múltiples unidades en un solo disipador de calor.

Configuración: Dos tiristores en serie ( SCR - SCR).

Encapsulado: SEMIPACK 3 (Dimensiones estándar de 115 x 50 mm).

Aislamiento: Placa base metálica aislada mediante cerámica de Nitruro de Aluminio (AlN) para una transferencia térmica óptima.

Tensión de Bloqueo (Pico),VDRM?/VRRM : 1200V

Corriente Nominal Promedio IT(AV): 330A (a Tc=85°C)

Corriente Eficaz Máxima ITRMS: 510A

Corriente de Sobretensión (Surge) ITSM: 9500A (10ms a 25°C)

Valor de Fusión (i2t): 451,000 A2s

Tensión de Disparo (Gate) VGT: 3.0V

Corriente de Disparo (Gate) IGT: 200 mA

Velocidad de subida de tensión dv/dt: 1000 V/us

Mantiene la configuración clásica de 7 terminales (3 de potencia y 4 de control).

Terminal 1: Punto común (Cátodo T1 / Ánodo T2).

Terminal 2: Ánodo del Tiristor 1 (SCR1).

Terminal 3: Cátodo del Tiristor 2 (SCR2).

Control: Utiliza conectores tipo Faston para los Gates (G1, G2) y los Cátodos Auxiliares (K1, K2). Es crítico conectar los cátodos auxiliares directamente al driver de disparo para evitar errores por caídas de tensión en los cables de potencia.

Rectificadores de alta potencia: Para procesos de electrólisis y galvanoplastia.

Arrancadores suaves (Soft Starters): Para motores de gran caballaje (HP) en plantas cementeras o mineras.

Sistemas UPS Industriales: En las etapas de entrada para rectificación controlada.

Compensadores estáticos de VARs: Para mejorar el factor de potencia en redes de media tensión.