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MG300Q1US1

94,68 $
Sin impuestos

MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG300Q1US1

300A/1200V/1U

No identificado

Cantidad
Fuera de stock

  Security policy

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Delivery policy

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High input impedance
  • High speed :
  • tf= 1.0us (Max.) trr=0.5us (Max.)
  • Low saturation voltage :
  • VCE(sat) = 2.7V (Max.)
  • Enhancement mode
  • The electrodes are isolated from case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG300Q1US1

IGBT 300A 1200V SINGLE

MG300Q1US1

Referencias específicas

MPN
MG300Q1US1
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