NL-C602LE

El NL-C602LE (o C602LE) de National Electronics (fabricado también bajo estándares de General Electric / Richardson Electronics) es un tiristor de potencia de silicio para control de fase (Silicon Controlled Rectifier - SCR / Phase Control Thyristor) en encapsulado cerámico de presión tipo disco (Hockey Puck / Press-Pack).

Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia en media y baja tensión, rectificación industrial pesada y control de motores de CA/CC, este componente soporta una corriente media en conducción de 600 A (promedio) / hasta 950 A RMS y una tensión de bloqueo repetitivo inverso y directo (VDRM / VRRM) de 2,500 V a 2,600 V. Su construcción hermética con cuerpo cerámico vidriado y contactos por compresión mecánica de doble cara (Double-Side Cooled) garantiza una elevada disipación térmica y confiabilidad ante sobrecorrientes transitorias severas.

Specs

Fabricante: National Electronics (NL) / General Electric (GE) / Richardson Electronics

Modelo / Referencia: NL-C602LE / C602LE

Familia / Serie: Serie C602 (High Power Phase Control SCRs)

Tipo de Componente: Tiristor de potencia para control de fase / Rectificador controlado de silicio (SCR)

Desglose de la Nomenclatura

NL: Prefijo de fabricante National Electronics

C602: Serie de tiristores de potencia de 600 A promedio en cápsula de presión

LE: Grado de tensión de bloqueo pico repetitivo nominal de 2,500 V a 2,600 V

Especificaciones Eléctricas y de Conmutación

Corriente Nominal Promedio en Estado Conductor (IT(AV)): 600 A (con refrigeración por ambos lados)

Corriente Eficaz Nominal (IT(RMS)): Aprox. 950 A

Tensión de Bloqueo Pico Repetitiva Directa e Inversa (VDRM / VRRM): 2,500 V a 2,600 V

Tensión Pico No Repetitiva Transitoria (VRSM): 2,600 V

Corriente de Sobretensión Máxima de 1 Ciclo (ITSM): 10,000 A (10 kA a 60 Hz)

Capacidad de Fusión por Energía Térmica (I²t): 415,000 A²s (a 8.3 ms)

Velocidad Crítica de Crecimiento de Tensión (dv/dt): Alta inmunidad frente a transitorios rápidos

Velocidad de Crecimiento de Corriente (di/dt): Hasta 75 A/µs

Características de Puerta (Gate)

Corriente de Disparo de Puerta (IGT): 80 mA a 150 mA (a 25 °C)

Tensión de Disparo de Puerta (VGT): 1.5 V a 3.0 V (máx. 4.5 V)

Potencia Pico de Disipación en Puerta (PGM): 40 W

Potencia Media de Disipación en Puerta (PG(AV)): 5 W

Tensión Inversa Pico de Puerta (VGRM): 5 V

Especificaciones Mecánicas y Constructivas

Tipo de Encapsulado: Cápsula hermética de cerámica para montaje por presión (Press-Pack / Hockey Puck / TO-200AC)

Tipo de Refrigeración: Enfriamiento por doble cara (Double-Side Cooled) mediante disipadores de calor

Fuerza de Sujeción Requerida (Mounting Force): Aprox. 4,000 lbs ± 10% (17.8 kN ± 10%)

Línea de Fuga Aislante (Creepage Path): Aislador cerámico esmaltado de 1 pulgada (25.4 mm)

Peso Aproximado: 250 g a 350 g

Especificaciones Térmicas y Ambientales

Rango de Temperatura de Unión en Operación (TJ): -40 °C a +125 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (TSTG): -40 °C a +150 °C

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): Muy baja resistencia térmica de contacto con disipador < 0.5 °C/W

Rectificadores industriales de alta potencia para galvanoplastia, fundición y electrólisis.

Controladores de velocidad para motores de corriente continua (DC drives) y arrancadores suaves para motores de CA.

Inversores de tracción eléctrica, fuentes de alimentación de alta tensión y sistemas UPS industriales.

Interruptores estáticos de CA, compensadores estáticos de reactivos (SVC) y soldadura por resistencia de media frecuencia.