R1127NC36T

El R1127NC36T de Littelfuse / Westcode es un tiristor de conmutación rápida con compuerta distribuida montado en cápsula tipo disco plano de presión (Distributed Gate Fast Switching Thyristor / Capsule / Hockey Puk), perteneciente a la familia de semiconductores de potencia pesada Littelfuse / IXYS / Westcode. Su función tecnológica primordial es conmutar y controlar corrientes muy elevadas a frecuencias medias y altas, optimizado para circuitos de inversión de potencia, calentamiento inductivo, convertidores resonantes, fuentes pulsadas y tracción eléctrica donde se requieren mínimas pérdidas de conmutación y una rápida recuperación de bloqueo.

Diseñado en una cápsula cerámica hermética de presión de estándar industrial con electrodos de cobre mecanizados para montaje con abrazadera de apriete entre dos disipadores térmicos (double-side cooled), incorpora una estructura interna de silicio con patrón de compuerta distribuida que maximiza el área de conducción inicial durante el encendido. Ofrece una tasa crítica de crecimiento de corriente (di/dt) extremadamente alta, una tensión repetitiva de pico en sentido inverso y en estado desactivado (VDRM / VRRM) de 3600 V, una corriente media nominal en conducción continua (IT(AV)) de aprox. 1127 A (con refrigeración por ambas caras) y un tiempo de desactivación asistido (turn-off time, tq) optimizado para alta frecuencia.

Specs

Fabricante: Littelfuse, Inc. / Westcode Semiconductors (IXYS)

Modelo / Referencia: R1127NC36T (Serie R1127)

Código de Producto / UNSPSC: 32111702 (Tiristores de potencia / Fast Switching Thyristor)

Familia / Serie: Distributed Gate Inverter Thyristors (Capsule Series)

Tipo de Componente: Tiristor de potencia de conmutación rápida con compuerta distribuida (Fast Inverter SCR)

Tipo de Montaje: Montaje por compresión / prensa entre disipadores (Press-Pack / Capsule / Hockey Puk)

Asignación de Terminales y Polaridad (Pinout)

Tipo de Encapsulado: Cápsula cerámica redonda (Hockey Puk / Press-Pack)

Distribución de Electrodos:

Superficie plana inferior / superior: Ánodo (A) / Cátodo (K) según plano de caras

Cable/Terminal auxiliar delgado: Electrodo de compuerta (Gate - G)

Cable/Terminal auxiliar secundario: Cátodo auxiliar de sensado/referencia (Cathode - K)

Desglose de la Nomenclatura

R: Serie de tiristores de conmutación rápida / inversor (Fast Turn-off Thyristor)

1127: Código de corriente nominal media de conducción (aprox. 1127 A en IT(AV))

N: Tipo de formato de cápsula cerámica hermética

C: Diámetro/código de tamaño de pastilla de silicio y cápsula

36: Código de tensión nominal: 36 x 100 = 3600 V (VDRM / VRRM)

T: Código de selección de tiempo de recuperación y desactivación rápida (tq)

Especificaciones Eléctricas de Operación

Tensión Repetitiva de Pico en Desactivado e Inversa (VDRM / VRRM): 3600 V

Tensión No Repetitiva de Pico (VRSM): 3700 V

Corriente Media en Estado Conductor (IT(AV)): Aprox. 1127 A (a temperatura de carcasa con refrigeración bilateral)

Corriente Eficaz en Conducción (IT(RMS)): Aprox. 2300 A

Corriente de Pico No Repetitiva de Sobrecarga (ITSM): Aprox. 14 000 A a 16 000 A (50 Hz, 10 ms)

Integral de Disipación de Energía (I²t): Aprox. 1.0 x 10? A²s a 1.2 x 10? A²s

Tasa Crítica de Subida de Corriente (di/dt): >= 1000 A/µs (gracias a la estructura de compuerta distribuida)

Tasa Crítica de Subida de Tensión (dv/dt): >= 1000 V/µs

Tiempo de Desactivación Típico (tq): Rango de 40 µs a 60 µs (según clasificación de subgrupo)

Caída de Tensión Directa en Estado Activo (VTM): <= 2.2 V a 2.6 V a corriente de pico

Construcción Mecánica y Dimensiones

Formato Constructivo: Cápsula de disco de presión cerámica con sellado hermético metal-cerámica

Refrigeración Requerida: Refrigeración bilateral forzada por aire o líquido (Double-side cooled)

Fuerza de Apriete / Montaje Requerida: Aprox. 19 kN a 24 kN (debe aplicarse con prensa dinamométrica calibrada)

Diámetro del Polo de Contacto: Aprox. 50 mm

Diámetro Total de la Cápsula: Aprox. 75 mm a 77 mm

Altura / Espesor de la Cápsula: Aprox. 26 mm a 27 mm

Peso Neto: Aprox. 500 g a 600 g

Condiciones Ambientales y Térmicas

Rango de Temperatura Operativa de Unión (TJ): -40 °C a +125 °C

Rango de Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +150 °C

Resistencia Térmica Unión a Carcasa (Rth(j-c)): Muy baja (aprox. 0.022 K/W refrigeración bilateral)

Normativas y Homologaciones: Conforme a normativas industriales IEC para semiconductores de potencia

Generadores e inversores de media y alta frecuencia para calentamiento por inducción y fundición de metales.

Inversores y convertidores resonantes para tracción ferroviaria y propulsión naval.

Fuentes de alimentación de impulsos de alta energía y láseres de potencia.

Variadores de velocidad y arrancadores suaves en media tensión (MV Drives).