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El 10710-021 (también referenciado en ensambles OEM como 10710-021-W) de Westcode Semiconductors (gama IXYS / Westcode Power Thyristors) es un módulo / conjunto tiristor de potencia de control de fase (Phase Control SCR Thyristor Module), diseñado para aplicaciones de rectificación pesada, conmutación en corriente alterna y gobierno directo de grandes cargas inductivas y resistivas en entornos industriales de alta exigencia.
Diseñado para manejar niveles masivos de corriente con una capacidad nominal continua de hasta 1271 A y una tensión de bloqueo inversa de pico repetitiva de 1200 V, este dispositivo opera mediante activación precisa por pulso de compuerta (gate trigger current en rango de 30 mA a 300 mA), manteniéndose en conducción hasta el cruce por cero de la corriente. Construido en un encapsulado de alta robustez mecánica con refrigeración por prensado o base disipadora aislada, garantiza una disipación térmica eficiente y alta resistencia a corrientes de sobretensión transitoria en puentes de potencia multifásicos.
Specs
Fabricante: Westcode Semiconductors (IXYS Corporation / Littelfuse)
Modelo / Referencia: 10710-021 (Variante de ensamble: 10710-021-W)
Código de Producto / UNSPSC: 32111702 (Tiristores y módulos SCR de potencia)
Familia / Gama: Tiristores de control de fase para servicio pesado (Phase Control Thyristor Assemblies)
Tipo de Componente: Módulo / Ensamble tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Configuración: Módulo tripolar / arreglo de potencia para rectificación y control de fase
Tipo de Montaje: Montaje sobre disipador térmico (Heatsink Mount) con terminales de compresión / barras de alta corriente
Especificaciones Eléctricas de Potencia
Corriente Nominal Máxima de Operación Estable: 1271 A
Tensión Inversa de Pico Repetitiva (VRRM / VDRM): 1200 V
Tensión No Repetitiva de Pico: Hasta 1300 V
Frecuencia de Red Operativa: 50 Hz / 60 Hz (optimizado para conmutación de baja frecuencia y control de fase)
Tensión de Conducción en Estado Activo (VTM): Típico 1.2 V a 1.5 V a corriente nominal
Corriente de Fuga en Bloqueo (IDRM / IRRM): Menor a 50 mA a 125 °C y tensión asignada
Circuito de Puerta / Disparo (Gate Trigger)
Principio de Control: Control de fase por activación de compuerta (Gate pulse trigger)
Corriente de Disparo de Compuerta (IGT): 30 mA a 300 mA
Tensión de Disparo de Compuerta (VGT): 1.5 V a 2.5 V
Tensión de Compuerta No Disparo (VGD): Mínimo 0.25 V a máxima temperatura de unión
Corriente de Mantenimiento (IH): Aprox. 150 mA a 600 mA
Características Térmicas y Mecánicas
Temperatura de Operación de Unión (Tj): -40 °C a +125 °C
Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 °C a +150 °C
Tensión de Aislamiento: 2500 VAC a 3000 VAC (50/60 Hz, 1 minuto respecto a la placa base o clamp disipador)
Conexión de Potencia: Pletinas de cobre / terminales de barra de alta sección para fijación por tornillo
Conexión de Señal (Puerta/Cátodo auxiliar): Terminales tipo espada Faston o cables flexibles trenzados
Propiedades y Protecciones
Capacidad de Sobretensión Transitoria: Elevada capacidad I²t para coordinación con fusibles ultrarrápidos de semiconductores
Inmunidad dV/dt: Típico 1000 V/µs (previene disparos intempestivos por ruido en la red)
Capacidad di/dt en Conducción: Mínimo 200 A/µs no repetitivo
Rectificadores controlados de gran escala para accionamientos de motores de corriente continua (DC Drives).
Arrancadores suaves de media y baja tensión para motores de inducción trifásicos pesados.
Controladores de potencia para hornos de inducción, calentamiento resistivo y fundición.
Equipos de soldadura industrial por resistencia y fuentes de rectificación para galvanoplastia.